Справочник MOSFET. CMKDM8005

 

CMKDM8005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMKDM8005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для CMKDM8005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMKDM8005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  central
 cmkdm8005.pdf pdf_icon

CMKDM8005

CMKDM8005SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKDM8005 SILICON MOSFETSconsists of Dual P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer Very Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: C85MFEATURES:SOT-363 CASE E

Другие MOSFET... CHT84WGP , CHT870GP , CHT-SNMOS80 , CM697 , CM800 , CM860 , CMF10120D , CMF20120D , 10N65 , CMLDM3737 , CMLDM3757 , CMLDM5757 , CMLDM7002A , CMLDM7002AJ , CMLDM7003 , CMLDM7003E , CMLDM7003J .

History: RJK03M3DPA | 2SK1836 | HFP12N60U | CEPF634 | FDP020N06BF102 | HM60N04K | AOTF12T50P

 

 
Back to Top

 


 
.