CMKDM8005. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMKDM8005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для CMKDM8005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMKDM8005 даташит

 ..1. Size:482K  central
 cmkdm8005.pdf pdf_icon

CMKDM8005

CMKDM8005 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKDM8005 SILICON MOSFETS consists of Dual P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer Very Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. MARKING CODE C85M FEATURES SOT-363 CASE E

Другие IGBT... CHT84WGP, CHT870GP, CHT-SNMOS80, CM697, CM800, CM860, CMF10120D, CMF20120D, 4N60, CMLDM3737, CMLDM3757, CMLDM5757, CMLDM7002A, CMLDM7002AJ, CMLDM7003, CMLDM7003E, CMLDM7003J