CMT01N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMT01N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de CMT01N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CMT01N60 datasheet

 ..1. Size:181K  champion
 cmt01n60.pdf pdf_icon

CMT01N60

CMT01N60 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to w

Otros transistores... CMPF5485, CMPF5486, CMPFJ175, CMPFJ176, CMPFJ310, CMRDM3575, CMRDM3590, CMRDM7590, AON6414A, CMT14N50, CMT2N7002, CMT2N7002AG, CMT2N7002K, CMT2N7002WG, CMUDM7001, CMUDM7004, CMUDM7005