CMT01N60 Todos los transistores

 

CMT01N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMT01N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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CMT01N60 Datasheet (PDF)

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CMT01N60

CMT01N60 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to w

Otros transistores... CMPF5485 , CMPF5486 , CMPFJ175 , CMPFJ176 , CMPFJ310 , CMRDM3575 , CMRDM3590 , CMRDM7590 , IRFB4110 , CMT14N50 , CMT2N7002 , CMT2N7002AG , CMT2N7002K , CMT2N7002WG , CMUDM7001 , CMUDM7004 , CMUDM7005 .

History: STL22N65M5

 

 
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