Справочник MOSFET. CMT01N60

 

CMT01N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMT01N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CMT01N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMT01N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  champion
 cmt01n60.pdf pdf_icon

CMT01N60

CMT01N60 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to w

Другие MOSFET... CMPF5485 , CMPF5486 , CMPFJ175 , CMPFJ176 , CMPFJ310 , CMRDM3575 , CMRDM3590 , CMRDM7590 , IRFB4110 , CMT14N50 , CMT2N7002 , CMT2N7002AG , CMT2N7002K , CMT2N7002WG , CMUDM7001 , CMUDM7004 , CMUDM7005 .

History: FTK2816E | HGP115N15S | 2SK2257 | 18N20 | CS150N04A8 | AP20N15AGH | SI1050X

 

 
Back to Top

 


 
.