CMT01N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMT01N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CMT01N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMT01N60 даташит

 ..1. Size:181K  champion
 cmt01n60.pdf pdf_icon

CMT01N60

CMT01N60 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to w

Другие IGBT... CMPF5485, CMPF5486, CMPFJ175, CMPFJ176, CMPFJ310, CMRDM3575, CMRDM3590, CMRDM7590, AON6414A, CMT14N50, CMT2N7002, CMT2N7002AG, CMT2N7002K, CMT2N7002WG, CMUDM7001, CMUDM7004, CMUDM7005