CMT14N50 Todos los transistores

 

CMT14N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMT14N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 307 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CMT14N50 Datasheet (PDF)

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CMT14N50

CMT14N50 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to w

Otros transistores... CMPF5486 , CMPFJ175 , CMPFJ176 , CMPFJ310 , CMRDM3575 , CMRDM3590 , CMRDM7590 , CMT01N60 , IRFP250N , CMT2N7002 , CMT2N7002AG , CMT2N7002K , CMT2N7002WG , CMUDM7001 , CMUDM7004 , CMUDM7005 , CMUDM7590 .

History: 2SK1329

 

 
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