CMT14N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMT14N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 307 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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CMT14N50 datasheet

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CMT14N50

CMT14N50 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to w

Otros transistores... CMPF5486, CMPFJ175, CMPFJ176, CMPFJ310, CMRDM3575, CMRDM3590, CMRDM7590, CMT01N60, IRFB4115, CMT2N7002, CMT2N7002AG, CMT2N7002K, CMT2N7002WG, CMUDM7001, CMUDM7004, CMUDM7005, CMUDM7590