Справочник MOSFET. CMT14N50

 

CMT14N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CMT14N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

 Аналог (замена) для CMT14N50

 

 

CMT14N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  champion
 cmt14n50.pdf

CMT14N50 CMT14N50

CMT14N50 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to w

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top