CMXDM7002A Todos los transistores

 

CMXDM7002A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMXDM7002A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
 

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CMXDM7002A Datasheet (PDF)

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CMXDM7002A

CMXDM7002ASURFACE MOUNT www.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXDM7002A SILICON MOSFETSis special dual version of the 2N7002 Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, and designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This special Dual Transistor dev

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History: SIB452DK | AOTS26108 | FQP13N06 | TPC8081 | VN2210N3 | BUK9E3R2-40E | IXTH88N15

 

 
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