CMXDM7002A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMXDM7002A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT-26

 Búsqueda de reemplazo de CMXDM7002A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CMXDM7002A datasheet

 ..1. Size:491K  central
 cmxdm7002a.pdf pdf_icon

CMXDM7002A

CMXDM7002A SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXDM7002A SILICON MOSFETS is special dual version of the 2N7002 Enhancement- mode N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, and designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This special Dual Transistor dev

Otros transistores... CMT2N7002WG, CMUDM7001, CMUDM7004, CMUDM7005, CMUDM7590, CMUDM8001, CMUDM8004, CMUDM8005, IRF9540N, CP640, CP643, CP650, CP651, CP664, CP665, CP666, CS04CN10