Справочник MOSFET. CMXDM7002A

 

CMXDM7002A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMXDM7002A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для CMXDM7002A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMXDM7002A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  central
 cmxdm7002a.pdf pdf_icon

CMXDM7002A

CMXDM7002ASURFACE MOUNT www.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXDM7002A SILICON MOSFETSis special dual version of the 2N7002 Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, and designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This special Dual Transistor dev

Другие MOSFET... CMT2N7002WG , CMUDM7001 , CMUDM7004 , CMUDM7005 , CMUDM7590 , CMUDM8001 , CMUDM8004 , CMUDM8005 , IRF1010E , CP640 , CP643 , CP650 , CP651 , CP664 , CP665 , CP666 , CS04CN10 .

History: 2SK669 | HGN080N10S | IRHMS597260 | TSG120N10AT | IRF7821PBF | TPCC8009 | UPA2353

 

 
Back to Top

 


 
.