CMXDM7002A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMXDM7002A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для CMXDM7002A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMXDM7002A даташит

 ..1. Size:491K  central
 cmxdm7002a.pdf pdf_icon

CMXDM7002A

CMXDM7002A SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXDM7002A SILICON MOSFETS is special dual version of the 2N7002 Enhancement- mode N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, and designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This special Dual Transistor dev

Другие IGBT... CMT2N7002WG, CMUDM7001, CMUDM7004, CMUDM7005, CMUDM7590, CMUDM8001, CMUDM8004, CMUDM8005, IRF9540N, CP640, CP643, CP650, CP651, CP664, CP665, CP666, CS04CN10