CS1010EA8 Todos los transistores

 

CS1010EA8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS1010EA8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 120 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

CS1010EA8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  wuxi china
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CS1010EA8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1010E A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS1010E A8, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.1. Size:75K  china
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CS1010EA8

LJ2015-35CS1010 N T =25 2AP WDT =25 200C 1.4 W/I V =10V,T =25 75 AD GS C I V =10V,T =100 55 AD GS CI 330 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 62th(J-a )

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2P771A91 | VB2103K | FDS6892A | LPM9042 | NTLJS4159NT1G | SI5485DU | WFW40N25W

 

 
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