Справочник MOSFET. CS1010EA8

 

CS1010EA8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1010EA8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 120 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1010EA8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  wuxi china
 cs1010ea8.pdf pdf_icon

CS1010EA8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1010E A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS1010E A8, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.1. Size:75K  china
 cs1010.pdf pdf_icon

CS1010EA8

LJ2015-35CS1010 N T =25 2AP WDT =25 200C 1.4 W/I V =10V,T =25 75 AD GS C I V =10V,T =100 55 AD GS CI 330 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 62th(J-a )

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ECH8654 | IXFX30N110P | PNMET20V06E | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | WFW40N25W | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.