CS1010EA8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS1010EA8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 120 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для CS1010EA8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1010EA8 даташит

 ..1. Size:1187K  wuxi china
 cs1010ea8.pdf pdf_icon

CS1010EA8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1010E A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS1010E A8, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.1. Size:75K  china
 cs1010.pdf pdf_icon

CS1010EA8

LJ2015-35 CS1010 N T =25 2 A P W D T =25 200 C 1.4 W/ I V =10V,T =25 75 A D GS C I V =10V,T =100 55 A D GS C I 330 A DM V 20 V GS T +150 jm T -55 +150 stg R 62 th(J-a )

Другие IGBT... CP650, CP651, CP664, CP665, CP666, CS04CN10, CS100N03B4, CS1010, AON7410, CS10J60A4-G, CS10N60A8HD, CS10N60F, CS10N60FA9HD, CS10N65A8HD, CS10N65FA9HD, CS10N70A8D, CS10N70FA9D