Справочник MOSFET. CS1010EA8

 

CS1010EA8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1010EA8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 120 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для CS1010EA8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1010EA8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  wuxi china
 cs1010ea8.pdf pdf_icon

CS1010EA8

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1010E A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS1010E A8, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.1. Size:75K  china
 cs1010.pdf pdf_icon

CS1010EA8

LJ2015-35CS1010 N T =25 2AP WDT =25 200C 1.4 W/I V =10V,T =25 75 AD GS C I V =10V,T =100 55 AD GS CI 330 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 62th(J-a )

Другие MOSFET... CP650 , CP651 , CP664 , CP665 , CP666 , CS04CN10 , CS100N03B4 , CS1010 , RFP50N06 , CS10J60A4-G , CS10N60A8HD , CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D .

History: DMP6110SSD | HGT022N12S | 2SK2513 | AP85T03GP | HUFA76437P3 | CEM3258

 

 
Back to Top

 


 
.