CS10J60A4-G Todos los transistores

 

CS10J60A4-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS10J60A4-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de CS10J60A4-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS10J60A4-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  wuxi china
 cs10j60a4-g.pdf pdf_icon

CS10J60A4-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10J60 A4-G General Description VDSS 600 V CS10J60 A4-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 10 A PD(TC=25) 70 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 0.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Otros transistores... CP651 , CP664 , CP665 , CP666 , CS04CN10 , CS100N03B4 , CS1010 , CS1010EA8 , 4N60 , CS10N60A8HD , CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D .

History: IXFN30N110P | NTD5865N-1G | S60N15R | AFP1073 | 2SK3572-ZK | MPSA80M670B | SSF5NS70D

 

 
Back to Top

 


 
.