CS10J60A4-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS10J60A4-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS10J60A4-G

CS10J60A4-G Datasheet (PDF)

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cs10j60a4-g.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10J60 A4-G General Description VDSS 600 V CS10J60 A4-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 10 A PD(TC=25) 70 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 0.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

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Liste

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