CS10J60A4-G - аналоги и даташиты транзистора

 

 

CS10J60A4-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS10J60A4-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CS10J60A4-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

CS10J60A4-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  wuxi china
 cs10j60a4-g.pdf pdf_icon

CS10J60A4-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10J60 A4-G General Description VDSS 600 V CS10J60 A4-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 10 A PD(TC=25) 70 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 0.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Другие MOSFET... CP651 , CP664 , CP665 , CP666 , CS04CN10 , CS100N03B4 , CS1010 , CS1010EA8 , 12N60 , CS10N60A8HD , CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D .

History: PHX27NQ11T | BLM30DN06L-E | PHX23NQ11T

 

 
Back to Top

 


 
.