CS10J60A4-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS10J60A4-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS10J60A4-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS10J60A4-G даташит

 ..1. Size:182K  wuxi china
 cs10j60a4-g.pdf pdf_icon

CS10J60A4-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10J60 A4-G General Description VDSS 600 V CS10J60 A4-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 10 A PD(TC=25 ) 70 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 0.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Другие IGBT... CP651, CP664, CP665, CP666, CS04CN10, CS100N03B4, CS1010, CS1010EA8, 12N60, CS10N60A8HD, CS10N60F, CS10N60FA9HD, CS10N65A8HD, CS10N65FA9HD, CS10N70A8D, CS10N70FA9D, CS10N80A8D