CS10J60A4-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS10J60A4-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 29.5 ns
Выходная емкость (Cd): 450 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для CS10J60A4-G
CS10J60A4-G Datasheet (PDF)
..1. Size:182K wuxi china
cs10j60a4-g.pdf
cs10j60a4-g.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS10J60 A4-G General Description VDSS 600 V CS10J60 A4-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is ID 10 A PD(TC=25) 70 W obtained by the super junction technology which reduces the RDS(ON)Typ 0.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
