CS110N03A3 Todos los transistores

 

CS110N03A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS110N03A3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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CS110N03A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  wuxi china
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CS110N03A3

Silicon N-Channel Power MOSFET RCS110N03 A3 General Description VDSS 30 V CS110N03 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 110 A PD(TC=25) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.0 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

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CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

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CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

Otros transistores... CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D , CS10N80FA9D , IRF1407 , CS1119 , CS11P40 , CS120 , CS120A , CS120NF10 , CS123 , CS12N10 , CS12N60 .

History: STL22N65M5

 

 
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