CS110N03A3 - аналоги и даташиты транзистора

 

CS110N03A3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS110N03A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CS110N03A3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS110N03A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  wuxi china
 cs110n03a3.pdf pdf_icon

CS110N03A3

Silicon N-Channel Power MOSFET RCS110N03 A3 General Description VDSS 30 V CS110N03 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 110 A PD(TC=25) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.0 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:502K  jilin sino
 jcs110n07.pdf pdf_icon

CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 7.2. Size:476K  jilin sino
 jcs110n07i.pdf pdf_icon

CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

Другие MOSFET... CS10N60F , CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D , CS10N80FA9D , 20N50 , CS1119 , CS11P40 , CS120 , CS120A , CS120NF10 , CS123 , CS12N10 , CS12N60 .

History: 8N60L-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.