Справочник MOSFET. CS110N03A3

 

CS110N03A3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS110N03A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS110N03A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  wuxi china
 cs110n03a3.pdf pdf_icon

CS110N03A3

Silicon N-Channel Power MOSFET RCS110N03 A3 General Description VDSS 30 V CS110N03 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 110 A PD(TC=25) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.0 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:502K  jilin sino
 jcs110n07.pdf pdf_icon

CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 7.2. Size:476K  jilin sino
 jcs110n07i.pdf pdf_icon

CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HAT2166H | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.