CS110N03A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS110N03A3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CS110N03A3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS110N03A3 даташит

 ..1. Size:733K  wuxi china
 cs110n03a3.pdf pdf_icon

CS110N03A3

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS110N03 A3 General Description VDSS 30 V CS110N03 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 110 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 4.0 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:502K  jilin sino
 jcs110n07.pdf pdf_icon

CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 7.2. Size:476K  jilin sino
 jcs110n07i.pdf pdf_icon

CS110N03A3

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

Другие IGBT... CS10N60F, CS10N60FA9HD, CS10N65A8HD, CS10N65FA9HD, CS10N70A8D, CS10N70FA9D, CS10N80A8D, CS10N80FA9D, IRFP450, CS1119, CS11P40, CS120, CS120A, CS120NF10, CS123, CS12N10, CS12N60