CS1119 Todos los transistores

 

CS1119 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS1119
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254
 

 Búsqueda de reemplazo de CS1119 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS1119 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  china
 cs1119.pdf pdf_icon

CS1119

CS1119 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ ID VGS=10V,TC=25 4 A IDM 12 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=10 mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2A 3.0 3.8 VGS th VDS=10V,ID=1

Otros transistores... CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D , CS10N80FA9D , CS110N03A3 , IRFZ24N , CS11P40 , CS120 , CS120A , CS120NF10 , CS123 , CS12N10 , CS12N60 , CS12N60A8H .

History: AD4N65S | NVMTS0D7N04C | TSM4872CS | 18P10E | SI4421DY | SL13N45F | APT6017B2FLL

 

 
Back to Top

 


 
.