CS1119 Todos los transistores

 

CS1119 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS1119
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254
 

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CS1119 Datasheet (PDF)

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CS1119

CS1119 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ ID VGS=10V,TC=25 4 A IDM 12 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=10 mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2A 3.0 3.8 VGS th VDS=10V,ID=1

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History: 10N80 | 4803 | BLS7G3135L-350P | MSF4N60 | JCS7N120WA | AP3P050M | SL2328A

 

 
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