CS1119 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS1119

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: TO-254

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CS1119 datasheet

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CS1119

CS1119 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ ID VGS=10V,TC=25 4 A IDM 12 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=10 mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2A 3.0 3.8 VGS th VDS=10V,ID=1

Otros transistores... CS10N60FA9HD, CS10N65A8HD, CS10N65FA9HD, CS10N70A8D, CS10N70FA9D, CS10N80A8D, CS10N80FA9D, CS110N03A3, TK10A60D, CS11P40, CS120, CS120A, CS120NF10, CS123, CS12N10, CS12N60, CS12N60A8H