CS1119 - аналоги и даташиты транзистора

 

 

CS1119 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS1119
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для CS1119

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

CS1119 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  china
 cs1119.pdf pdf_icon

CS1119

CS1119 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ ID VGS=10V,TC=25 4 A IDM 12 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=10 mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2A 3.0 3.8 VGS th VDS=10V,ID=1

Другие MOSFET... CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D , CS10N80FA9D , CS110N03A3 , TK10A60D , CS11P40 , CS120 , CS120A , CS120NF10 , CS123 , CS12N10 , CS12N60 , CS12N60A8H .

History: SQM110P06-07L | NCEP070N10GU | BLM08N68-P | IRF130SMD | FQB30N06TM | IRF130SMD05DSG | PHU101NQ03LT

 

 
Back to Top

 


 
.