Справочник MOSFET. CS1119

 

CS1119 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS1119
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-254

 Аналог (замена) для CS1119

 

 

CS1119 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  china
 cs1119.pdf

CS1119

CS1119 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ ID VGS=10V,TC=25 4 A IDM 12 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=10 mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2A 3.0 3.8 VGS th VDS=10V,ID=1

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top