Справочник MOSFET. CS1119

 

CS1119 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1119
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для CS1119

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1119 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  china
 cs1119.pdf pdf_icon

CS1119

CS1119 N PD TC=25 100 W 0.8 W/ ID VGS=10V,TC=25 4 A IDM 12 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=10 mA 900 V RDS on VGS=10V,ID=2A 3.0 3.8 VGS th VDS=10V,ID=1

Другие MOSFET... CS10N60FA9HD , CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D , CS10N80FA9D , CS110N03A3 , IRFZ24N , CS11P40 , CS120 , CS120A , CS120NF10 , CS123 , CS12N10 , CS12N60 , CS12N60A8H .

History: DH1K1N10B | 2SJ472-01L | CS6N70D | 2SK2127 | AP9576GM-HF | AFN7472S | IXFR12N100F

 

 
Back to Top

 


 
.