CS11P40 Todos los transistores

 

CS11P40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS11P40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257
 

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CS11P40 Datasheet (PDF)

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CS11P40

CS11P40P PD TC=25 125 W 1.0 W/ID VGS=-10V,TC=25 -11 AID VGS=-10V,TC=100 -7 AIDM -44 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /WRthJA 62.5 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -400 VRDS on VGS=-10V,ID

Otros transistores... CS10N65A8HD , CS10N65FA9HD , CS10N70A8D , CS10N70FA9D , CS10N80A8D , CS10N80FA9D , CS110N03A3 , CS1119 , P60NF06 , CS120 , CS120A , CS120NF10 , CS123 , CS12N10 , CS12N60 , CS12N60A8H , CS12N60A8HD .

History: IPD60R210CFD7 | FQI5N40TU | SI4501BDY | 7N60GS | 2SK4075-ZK

 

 
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