CS11P40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS11P40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS11P40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS11P40 даташит

 ..1. Size:63K  china
 cs11p40.pdf pdf_icon

CS11P40

CS11P40 P PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -11 A ID VGS=-10V,TC=100 -7 A IDM -44 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W RthJA 62.5 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -400 V RDS on VGS=-10V,ID

Другие IGBT... CS10N65A8HD, CS10N65FA9HD, CS10N70A8D, CS10N70FA9D, CS10N80A8D, CS10N80FA9D, CS110N03A3, CS1119, AO4407, CS120, CS120A, CS120NF10, CS123, CS12N10, CS12N60, CS12N60A8H, CS12N60A8HD