CS1405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS1405
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 169 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS1405

CS1405 Datasheet (PDF)

..1. Size:58K china
cs1405.pdf

CS1405N PD TC=25 330 W 2.2 W/VGS=10V,TC=25 169ID A VGS=10V,TC=100 118 VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 55 VRDS on VGS=10V,ID=39A 7.2 10 mVGS th VDS=10

9.1. Size:1073K jilin sino
jcs1404c jcs1404s.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1404 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 204 A VDSS 40 V Rdson-max 4 m @Vgs=10V Qg-typ 106nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS UPS FEATURES Low gate charge

9.2. Size:630K jilin sino
jcs1404c jcs1404f.pdf

9.3. Size:1748K blue-rocket-elect
brcs140p03yb.pdf

BRCS140P03YB Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID =-34 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V14mR(Typ.12.8mR) HFProduct. / Applications DC/DC

9.4. Size:109K china
cs140n10a.pdf

CS140N10A N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 75 A IDM 140 A VGS 17 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=39A 0.02 VGS th VDS=VGS,I

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Liste

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