CS1405 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CS1405. Основные параметры


   Наименование производителя: CS1405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 169 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
 

 Аналог (замена) для CS1405

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1405 даташит

 ..1. Size:58K  china
 cs1405.pdf pdf_icon

CS1405

CS1405 N PD TC=25 330 W 2.2 W/ VGS=10V,TC=25 169 ID A VGS=10V,TC=100 118 VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 55 V RDS on VGS=10V,ID=39A 7.2 10 m VGS th VDS=10

 9.1. Size:1073K  jilin sino
 jcs1404c jcs1404s.pdf pdf_icon

CS1405

 9.2. Size:630K  jilin sino
 jcs1404c jcs1404f.pdf pdf_icon

CS1405

 9.3. Size:1748K  blue-rocket-elect
 brcs140p03yb.pdf pdf_icon

CS1405

BRCS140P03YB Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 3 3A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID =-34 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 14mR(Typ.12.8mR) HF Product. / Applications DC/DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS12N60FA9H , CS12N60FA9HD , CS12N65A8H , CS12N65FA9H , CS138 , CS13N15D , CS13N50A8H , CS13N50FA9H , 8N60 , CS140N10A , CS150 , CS150N03A8 , CS150N04A8 , CS15N60 , CS16N60A8H , CS19N40A8H , CS19N40AN .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.