CS1405 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS1405  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 169 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-257

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS1405

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1405 даташит

 ..1. Size:58K  china
 cs1405.pdf pdf_icon

CS1405

CS1405 N PD TC=25 330 W 2.2 W/ VGS=10V,TC=25 169 ID A VGS=10V,TC=100 118 VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 55 V RDS on VGS=10V,ID=39A 7.2 10 m VGS th VDS=10

 9.1. Size:1073K  jilin sino
 jcs1404c jcs1404s.pdf pdf_icon

CS1405

 9.2. Size:630K  jilin sino
 jcs1404c jcs1404f.pdf pdf_icon

CS1405

 9.3. Size:1748K  blue-rocket-elect
 brcs140p03yb.pdf pdf_icon

CS1405

BRCS140P03YB Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 3 3A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID =-34 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 14mR(Typ.12.8mR) HF Product. / Applications DC/DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS12N60FA9H, CS12N60FA9HD, CS12N65A8H, CS12N65FA9H, CS138, CS13N15D, CS13N50A8H, CS13N50FA9H, SKD502T, CS140N10A, CS150, CS150N03A8, CS150N04A8, CS15N60, CS16N60A8H, CS19N40A8H, CS19N40AN