CS140N10A Todos los transistores

 

CS140N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS140N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 17 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254DL
     - Selección de transistores por parámetros

 

CS140N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  china
 cs140n10a.pdf pdf_icon

CS140N10A

CS140N10A N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 75 A IDM 140 A VGS 17 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=39A 0.02 VGS th VDS=VGS,I

 9.1. Size:1073K  jilin sino
 jcs1404c jcs1404s.pdf pdf_icon

CS140N10A

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1404 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 204 A VDSS 40 V Rdson-max 4 m @Vgs=10V Qg-typ 106nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS UPS FEATURES Low gate charge

 9.2. Size:630K  jilin sino
 jcs1404c jcs1404f.pdf pdf_icon

CS140N10A

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1404 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 204 A VDSS 40 V Rdson-max 4 m @Vgs=10V Qg-typ 106nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS UPS FEATURES Low gate charge

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 brcs140p03yb.pdf pdf_icon

CS140N10A

BRCS140P03YB Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID =-34 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V14mR(Typ.12.8mR) HFProduct. / Applications DC/DC

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History: SE30P12D | MTN50N06E3 | SM3116NAF | IRHY9230CM | IPI051N15N5 | SSFT4004 | CPC3730

 

 
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