CS140N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS140N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 17 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254DL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS140N10A

CS140N10A Datasheet (PDF)

..1. Size:109K china
cs140n10a.pdf

CS140N10A N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 75 A IDM 140 A VGS 17 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=39A 0.02 VGS th VDS=VGS,I

9.1. Size:1073K jilin sino
jcs1404c jcs1404s.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1404 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 204 A VDSS 40 V Rdson-max 4 m @Vgs=10V Qg-typ 106nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS UPS FEATURES Low gate charge

9.2. Size:630K jilin sino
jcs1404c jcs1404f.pdf

9.3. Size:1748K blue-rocket-elect
brcs140p03yb.pdf

BRCS140P03YB Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID =-34 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V14mR(Typ.12.8mR) HFProduct. / Applications DC/DC

9.4. Size:58K china
cs1405.pdf

CS1405N PD TC=25 330 W 2.2 W/VGS=10V,TC=25 169ID A VGS=10V,TC=100 118 VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.45 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 55 VRDS on VGS=10V,ID=39A 7.2 10 mVGS th VDS=10

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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