Справочник MOSFET. CS140N10A

 

CS140N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS140N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 17 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-254DL
 

 Аналог (замена) для CS140N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS140N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  china
cs140n10a.pdfpdf_icon

CS140N10A

CS140N10A N PD TC=25 150 W 1.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 75 A IDM 140 A VGS 17 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=39A 0.02 VGS th VDS=VGS,I

 9.1. Size:1073K  jilin sino
jcs1404c jcs1404s.pdfpdf_icon

CS140N10A

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1404 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 204 A VDSS 40 V Rdson-max 4 m @Vgs=10V Qg-typ 106nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS UPS FEATURES Low gate charge

 9.2. Size:630K  jilin sino
jcs1404c jcs1404f.pdfpdf_icon

CS140N10A

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1404 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 204 A VDSS 40 V Rdson-max 4 m @Vgs=10V Qg-typ 106nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS UPS FEATURES Low gate charge

 9.3. Size:1748K  blue-rocket-elect
brcs140p03yb.pdfpdf_icon

CS140N10A

BRCS140P03YB Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID =-34 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V14mR(Typ.12.8mR) HFProduct. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... CS12N60FA9HD , CS12N65A8H , CS12N65FA9H , CS138 , CS13N15D , CS13N50A8H , CS13N50FA9H , CS1405 , AO3401 , CS150 , CS150N03A8 , CS150N04A8 , CS15N60 , CS16N60A8H , CS19N40A8H , CS19N40AN , CS1N50A1 .

 

 
Back to Top

 


 
.