CS1N50A1 Todos los transistores

 

CS1N50A1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS1N50A1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CS1N50A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  wuxi china
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CS1N50A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N50 A1 General Description VDSS 500 V CS1N50 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:545K  crhj
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CS1N50A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N50 A1 General Description VDSS 500 V CS1N50 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

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History: 2SK3365-Z | GSM3414A | BSR316P | 2SK1345 | STW60N65M5 | 2SK3666-3-TB-E | 2SK3646-01S

 

 
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