Справочник MOSFET. CS1N50A1

 

CS1N50A1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1N50A1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1N50A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  wuxi china
 cs1n50a1.pdf pdf_icon

CS1N50A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N50 A1 General Description VDSS 500 V CS1N50 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:545K  crhj
 cs1n50 a1.pdf pdf_icon

CS1N50A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N50 A1 General Description VDSS 500 V CS1N50 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Другие MOSFET... CS140N10A , CS150 , CS150N03A8 , CS150N04A8 , CS15N60 , CS16N60A8H , CS19N40A8H , CS19N40AN , STP65NF06 , CS1N60A1H , CS1N60A3H , CS1N60B1R , CS1N60B3R , CS1N60C1H , CS1N60C3H , CS1N60F , CS1N65A1 .

 

 
Back to Top

 


 
.