CS1N50A1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS1N50A1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: TO-92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS1N50A1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1N50A1 даташит

 ..1. Size:545K  wuxi china
 cs1n50a1.pdf pdf_icon

CS1N50A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N50 A1 General Description VDSS 500 V CS1N50 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25 ) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:545K  crhj
 cs1n50 a1.pdf pdf_icon

CS1N50A1

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS1N50 A1 General Description VDSS 500 V CS1N50 A1, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25 ) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Другие IGBT... CS140N10A, CS150, CS150N03A8, CS150N04A8, CS15N60, CS16N60A8H, CS19N40A8H, CS19N40AN, AO4468, CS1N60A1H, CS1N60A3H, CS1N60B1R, CS1N60B3R, CS1N60C1H, CS1N60C3H, CS1N60F, CS1N65A1