CS20N03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS20N03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0136 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS20N03D

CS20N03D Datasheet (PDF)

..1. Size:352K foshan
cs20n03d.pdf

BRD20N03(CS20N03D) N-CHANNEL MOSFET/N MOS :DC/DC Purpose: Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products. :R C

7.1. Size:768K blue-rocket-elect
brcs20n03ip.pdf

BRCS20N03IP Rev.A Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. Halogen-free Product. / Applications

8.1. Size:1408K blue-rocket-elect
brcs20n06ip.pdf

BRCS20N06IP Rev.A Jan.-2020 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 astic Package. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC S

8.2. Size:1632K blue-rocket-elect
brcs20n06dp.pdf

BRCS20N06DP Rev.C Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS=60V ; ID=20A RDSON@10V37m(Type.25m) RDSON@4.5V42m(Type.30m) HF Product. / Applications LED

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Liste

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