CS20N03D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS20N03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0136 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS20N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS20N03D даташит

 ..1. Size:352K  foshan
 cs20n03d.pdf pdf_icon

CS20N03D

 7.1. Size:768K  blue-rocket-elect
 brcs20n03ip.pdf pdf_icon

CS20N03D

 8.1. Size:1408K  blue-rocket-elect
 brcs20n06ip.pdf pdf_icon

CS20N03D

BRCS20N06IP Rev.A Jan.-2020 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 astic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC S

 8.2. Size:1632K  blue-rocket-elect
 brcs20n06dp.pdf pdf_icon

CS20N03D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS1N65A3, CS1N65B1, CS1N65B3, CS1N70A3H-G, CS1N80, CS1N80A1H, CS1N80A3H, CS1N80A4H, IRF3205, CS20N50A8H, CS20N50ANH, CS20N60, CS20N60A8H, CS20N60ANH, CS20N60FA9H, CS20N65FA9H, CS20N90ANRD