CS2837AND Todos los transistores

 

CS2837AND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS2837AND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 117 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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CS2837AND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3249K  citcorp
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CS2837AND

CS2837AND500V Silicon N-Channel Power MOSFET Features Outline Fast switching. TO-3P ESD improved capability. Low gate charge.0.193(4.9) Low reverse transfer capacitances. 0.185(4.7)0.626(15.9)0.063(1.6) 100% single pulse avalanche energy test.0.594(15.1)0.055(1.4)Marking code Mechanical dataG D S Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.

 ..2. Size:772K  wuxi china
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CS2837AND

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS2837 AND General Description VDSS 500 V CS2837 AND, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 20 A PD(TC=25) 230 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.18 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor c

Otros transistores... CS2232 , CS2308 , CS240 , CS24N40A8 , CS24N50 , CS250 , CS27P06 , CS2807 , AON6414A , CS2907Z , CS2N50A4 , CS2N60A3H , CS2N60A4H , CS2N60A4T , CS2N60A7H , CS2N60FA9H , CS2N60I .

History: HYG060N08NS1P

 

 
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