CS2837AND - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CS2837AND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для CS2837AND
CS2837AND Datasheet (PDF)
cs2837and.pdf

CS2837AND500V Silicon N-Channel Power MOSFET Features Outline Fast switching. TO-3P ESD improved capability. Low gate charge.0.193(4.9) Low reverse transfer capacitances. 0.185(4.7)0.626(15.9)0.063(1.6) 100% single pulse avalanche energy test.0.594(15.1)0.055(1.4)Marking code Mechanical dataG D S Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.
cs2837and.pdf

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS2837 AND General Description VDSS 500 V CS2837 AND, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 20 A PD(TC=25) 230 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.18 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor c
Другие MOSFET... CS2232 , CS2308 , CS240 , CS24N40A8 , CS24N50 , CS250 , CS27P06 , CS2807 , AON6414A , CS2907Z , CS2N50A4 , CS2N60A3H , CS2N60A4H , CS2N60A4T , CS2N60A7H , CS2N60FA9H , CS2N60I .
History: PMCM6501UNE
History: PMCM6501UNE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor