CS2837AND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS2837AND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 117 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
CS2837AND Datasheet (PDF)
cs2837and.pdf
CS2837AND500V Silicon N-Channel Power MOSFET Features Outline Fast switching. TO-3P ESD improved capability. Low gate charge.0.193(4.9) Low reverse transfer capacitances. 0.185(4.7)0.626(15.9)0.063(1.6) 100% single pulse avalanche energy test.0.594(15.1)0.055(1.4)Marking code Mechanical dataG D S Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.
cs2837and.pdf
Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS2837 AND General Description VDSS 500 V CS2837 AND, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 20 A PD(TC=25) 230 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.18 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor c
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918