CS2837AND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2837AND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для CS2837AND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2837AND даташит

 ..1. Size:3249K  citcorp
 cs2837and.pdf pdf_icon

CS2837AND

CS2837AND 500V Silicon N-Channel Power MOSFET Features Outline Fast switching. TO-3P ESD improved capability. Low gate charge. 0.193(4.9) Low reverse transfer capacitances. 0.185(4.7) 0.626(15.9) 0.063(1.6) 100% single pulse avalanche energy test. 0.594(15.1) 0.055(1.4) Marking code Mechanical data G D S Epoxy UL94-V0 rated flame retardant.

 ..2. Size:772K  wuxi china
 cs2837and.pdf pdf_icon

CS2837AND

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS2837 AND General Description VDSS 500 V CS2837 AND, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 20 A PD(TC=25 ) 230 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.18 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor c

Другие IGBT... CS2232, CS2308, CS240, CS24N40A8, CS24N50, CS250, CS27P06, CS2807, IRFB4115, CS2907Z, CS2N50A4, CS2N60A3H, CS2N60A4H, CS2N60A4T, CS2N60A7H, CS2N60FA9H, CS2N60I