CS2N50A4 Todos los transistores

 

CS2N50A4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS2N50A4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CS2N50A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  wuxi china
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CS2N50A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:452K  convert
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CS2N50A4

CS2N50DF, CS2N50DP, nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS2N50DD,CS2N50DU500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS2N50D

Otros transistores... CS240 , CS24N40A8 , CS24N50 , CS250 , CS27P06 , CS2807 , CS2837AND , CS2907Z , IRFB4115 , CS2N60A3H , CS2N60A4H , CS2N60A4T , CS2N60A7H , CS2N60FA9H , CS2N60I , CS2N65A3 , CS2N65A3HY .

History: SI4920DY-T1 | APT30M36B2LL | IRF7317 | IRLB3813 | 1N60F | WMN08N70EM

 

 
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