Справочник MOSFET. CS2N50A4

 

CS2N50A4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS2N50A4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CS2N50A4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N50A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  wuxi china
 cs2n50a4.pdf pdf_icon

CS2N50A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:452K  convert
 cs2n50df cs2n50dp cs2n50dd cs2n50du.pdf pdf_icon

CS2N50A4

CS2N50DF, CS2N50DP, nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS2N50DD,CS2N50DU500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS2N50D

Другие MOSFET... CS240 , CS24N40A8 , CS24N50 , CS250 , CS27P06 , CS2807 , CS2837AND , CS2907Z , IRFB4115 , CS2N60A3H , CS2N60A4H , CS2N60A4T , CS2N60A7H , CS2N60FA9H , CS2N60I , CS2N65A3 , CS2N65A3HY .

History: FQAF58N08 | SSW50R060S | FDD4685-F085 | HSM3006 | SI4925BDY | P1603BD

 

 
Back to Top

 


 
.