CS2N50A4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2N50A4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS2N50A4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N50A4 даташит

 ..1. Size:357K  wuxi china
 cs2n50a4.pdf pdf_icon

CS2N50A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

 8.1. Size:452K  convert
 cs2n50df cs2n50dp cs2n50dd cs2n50du.pdf pdf_icon

CS2N50A4

CS2N50DF, CS2N50DP, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS2N50DD,CS2N50DU 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS2N50D

Другие IGBT... CS240, CS24N40A8, CS24N50, CS250, CS27P06, CS2807, CS2837AND, CS2907Z, P55NF06, CS2N60A3H, CS2N60A4H, CS2N60A4T, CS2N60A7H, CS2N60FA9H, CS2N60I, CS2N65A3, CS2N65A3HY