CS38N20D Todos los transistores

 

CS38N20D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS38N20D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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CS38N20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  china
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CS38N20D

CS38N20D N PD TC=25 320 W 2.1 W/ ID VGS=10V,TC=25 44 A ID VGS=10V,TC=100 32 A IDM 180 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.47 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VG

 9.1. Size:370K  crhj
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CS38N20D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 9.2. Size:370K  wuxi china
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CS38N20D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

Otros transistores... CS334 , CS3410B3 , CS34P10 , CS360 , CS36P15 , CS3710 , CS3710B8 , CS37N5 , IRF1407 , CS38N30AN , CS3912 , CS3N50B3HY , CS3N50B4HY , CS3N60A3 , CS3N65A4H-G , CS3N70A3H-G , CS3N80A3 .

History: BLV730 | HY1506P

 

 
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