CS38N20D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS38N20D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CS38N20D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS38N20D даташит

 ..1. Size:112K  china
 cs38n20d.pdf pdf_icon

CS38N20D

CS38N20D N PD TC=25 320 W 2.1 W/ ID VGS=10V,TC=25 44 A ID VGS=10V,TC=100 32 A IDM 180 A VGS 30 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.47 /W RthJA 62 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VG

 9.1. Size:370K  crhj
 cs38n30 an.pdf pdf_icon

CS38N20D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25 ) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 9.2. Size:370K  wuxi china
 cs38n30an.pdf pdf_icon

CS38N20D

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS38N30 AN General Description VDSS 300 V CS38N30 AN, the silicon N-channel Enhanced ID 38.5 A PD (TC=25 ) 290 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

Другие IGBT... CS334, CS3410B3, CS34P10, CS360, CS36P15, CS3710, CS3710B8, CS37N5, IRFP450, CS38N30AN, CS3912, CS3N50B3HY, CS3N50B4HY, CS3N60A3, CS3N65A4H-G, CS3N70A3H-G, CS3N80A3