CS47N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS47N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO-254

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CS47N60 datasheet

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CS47N60

CS47N60 N PD TC=25 417 W 3.33 W/ ID VGS=10V,TC=25 47 A IDM 141 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.06 0.07 VGS th VDS=V

Otros transistores... CS3N90A4H, CS3N90A8, CS3N90FA9H, CS3R50A3, CS3R50FA9, CS40N06, CS4482DY, CS4486, P60NF06, CS48N18, CS48N75, CS48N78, CS48N80, CS48N88, CS4905S, CS4J60A3-G, CS4J60B3-G