CS47N60 Todos los transistores

 

CS47N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS47N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254
 

 Búsqueda de reemplazo de CS47N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CS47N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  china
 cs47n60.pdf pdf_icon

CS47N60

CS47N60 N PD TC=25 417 W 3.33 W/ ID VGS=10V,TC=25 47 A IDM 141 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.06 0.07 VGS th VDS=V

Otros transistores... CS3N90A4H , CS3N90A8 , CS3N90FA9H , CS3R50A3 , CS3R50FA9 , CS40N06 , CS4482DY , CS4486 , AO3401 , CS48N18 , CS48N75 , CS48N78 , CS48N80 , CS48N88 , CS4905S , CS4J60A3-G , CS4J60B3-G .

History: IPN70R1K5CE | APT6013LFLLG | SI2304DS | IRF7700G | PJE8403 | CEM9435A | 2SK1722

 

 
Back to Top

 


 
.