CS47N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS47N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для CS47N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS47N60 даташит

 ..1. Size:124K  china
 cs47n60.pdf pdf_icon

CS47N60

CS47N60 N PD TC=25 417 W 3.33 W/ ID VGS=10V,TC=25 47 A IDM 141 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.06 0.07 VGS th VDS=V

Другие IGBT... CS3N90A4H, CS3N90A8, CS3N90FA9H, CS3R50A3, CS3R50FA9, CS40N06, CS4482DY, CS4486, P60NF06, CS48N18, CS48N75, CS48N78, CS48N80, CS48N88, CS4905S, CS4J60A3-G, CS4J60B3-G