Справочник MOSFET. CS47N60

 

CS47N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS47N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для CS47N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS47N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  china
 cs47n60.pdf pdf_icon

CS47N60

CS47N60 N PD TC=25 417 W 3.33 W/ ID VGS=10V,TC=25 47 A IDM 141 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 600 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.06 0.07 VGS th VDS=V

Другие MOSFET... CS3N90A4H , CS3N90A8 , CS3N90FA9H , CS3R50A3 , CS3R50FA9 , CS40N06 , CS4482DY , CS4486 , AO3401 , CS48N18 , CS48N75 , CS48N78 , CS48N80 , CS48N88 , CS4905S , CS4J60A3-G , CS4J60B3-G .

History: HNM7002 | CS4N60F | IXFN240N15T2 | SSM9960GH | IPI90N06S4L-04 | STP11NB40FP | NCEP0116K

 

 
Back to Top

 


 
.