CS50N06 Todos los transistores

 

CS50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 42 nC

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

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CS50N06 Datasheet (PDF)

1.1. cs50n06d.pdf Size:253K _update_mosfet

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BRD50N06(CS50N06D) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管 用途:用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换。 Purpose: Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products. 特点:R 小,门电荷低,C 小,开关速度

1.2. cs50n06.pdf Size:249K _update_mosfet

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BR50N06(CS50N06) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管 用途:用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换。 Purpose: Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products. 特点:R 小,门电荷低,C 小,开关速度快

 5.1. cs50n80.pdf Size:72K _update_mosfet

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锦州辽晶电子科技有限公司 LJ2015-05 CS50N80 型 N 沟道场效应晶体管 (产品手册更改页) 参数符号 测试条件 最小值 最大值 单位 P 125 W D I V =20V,T =25℃ 50 A D GS C 极 I 脉冲电流 100 A DM 限 V ±20 V GS 值 T 150 ℃ jm T -55 150 ℃ stg BV V =0V,I =0.1mA 800 V DSS GS D V =800V,V =0V 100 DS GS I µA DSS V =800V,V =0V

5.2. cs50n20 anh.pdf Size:418K _crhj

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Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS50N20 ANH General Description: VDSS 200 V CS50N20 ANH, the silicon N-channel Enhanced ID 50 A PD (TC=25℃) 300 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 Ω which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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