CS50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CS50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS50N06 даташит

 ..1. Size:249K  foshan
 cs50n06.pdf pdf_icon

CS50N06

 0.1. Size:1911K  jilin sino
 jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf pdf_icon

CS50N06

N R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge

 0.2. Size:932K  blue-rocket-elect
 brcs50n06bd.pdf pdf_icon

CS50N06

BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

 0.3. Size:906K  blue-rocket-elect
 brcs50n06ra.pdf pdf_icon

CS50N06

BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS4N65A3HDY, CS4N65A3TDY, CS4N65A4HDY, CS4N65A4TDY, CS4N65A8HD, CS4N65F, CS4N70ARHD, CS4N70FA9D, IRF540N, CS50N06D, CS50N80, CS5103, CS520, CS5210, CS5210PBF, CS530, CS540