CS5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SMD-0.5
Búsqueda de reemplazo de CS5210 MOSFET
CS5210 Datasheet (PDF)
cs5210pbf.pdf

CS5210PbfP PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.2
cs5210.pdf

CS5210P PD TC=25 3.8 W 1.3 W/ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -
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History: SM3106NSF | ME2604-G | IXFN100N10S2 | AON6524 | HM2309B | SM6019NSF | 2SJ78
History: SM3106NSF | ME2604-G | IXFN100N10S2 | AON6524 | HM2309B | SM6019NSF | 2SJ78



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