CS5210 Todos los transistores

 

CS5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS5210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: SMD-0.5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS5210

 

CS5210 Datasheet (PDF)

1.1. cs5210pbf.pdf Size:65K _update_mosfet

CS5210

CS5210Pbf型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 200 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω ( VGS th) VDS=VGS,ID=-0.2

1.2. cs5210.pdf Size:59K _update_mosfet

CS5210

CS5210型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 3.8 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω ( VGS th) VDS=VGS,ID=-0.25mA -

 

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top

 


CS5210
  CS5210
  CS5210
  CS5210
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SW1N55D | SKI10297 | SKI10195 | SKI10123 | SKI07171 | SKI07114 | SKI07074 | SKI06106 | SKI06073 | SKI06048 | SKI04044 | SKI04033 | SKI04024 | SKI03087 | SKI03063 |

 

 

 
Back to Top