CS5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS5210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SMD-0.5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS5210

CS5210 Datasheet (PDF)

..1. Size:65K china
cs5210pbf.pdf

CS5210PbfP PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.2

..2. Size:59K china
cs5210.pdf

CS5210P PD TC=25 3.8 W 1.3 W/ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -

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History: ZVN0124A

Liste

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