CS5210 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CS5210
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 3.8 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.06 Ohm
Package: SMD-0.5
CS5210 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CS5210 Datasheet (PDF)
1.1. cs5210pbf.pdf 
Size:65K _update_mosfet
CS5210Pbf型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 200 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.2
1.2. cs5210.pdf Size:59K _update_mosfet
CS5210型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 3.8 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.25mA -
Datasheet: FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
