CS5210 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CS5210
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 3.8 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.06 Ohm
Package: SMD-0.5
CS5210 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CS5210 Datasheet (PDF)
1.1. cs5210pbf.pdf 
Size:65K _update_mosfet
CS5210Pbf型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 200 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.2
1.2. cs5210.pdf Size:59K _update_mosfet
CS5210型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 3.8 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.25mA -
Datasheet: IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .
