CS5210 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CS5210
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 3.8 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.06 Ohm
Package: SMD-0.5
CS5210 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CS5210 Datasheet (PDF)
1.1. cs5210pbf.pdf 
Size:65K _update_mosfet
CS5210Pbf型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 200 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.2
1.2. cs5210.pdf Size:59K _update_mosfet
CS5210型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 3.8 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.25mA -
Datasheet: PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , IRF510 , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 .
LIST
Last Update
MOSFET: KO3407 | KO3404 | KO3403 | KO3402 | KN0606L | KML0D4P20E | KML0D4N20E | KMDF2C03HD | KMB075N75P | KI7540DP | KI6968BEDQ | KI5P03DY | KI5935DC | KI5908DC | KI5905DC |