CS5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CS5210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SMD-0.5
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CS5210 Datasheet (PDF)
cs5210pbf.pdf

CS5210PbfP PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.2
cs5210.pdf

CS5210P PD TC=25 3.8 W 1.3 W/ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRFR410 | AO6804A | OSG60R340FT3F | BLF7G24L-140 | WMJ38N60C2 | UF830G-TN3-R | FIR6N40FG
History: IRFR410 | AO6804A | OSG60R340FT3F | BLF7G24L-140 | WMJ38N60C2 | UF830G-TN3-R | FIR6N40FG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102