CS5210PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5210PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
Búsqueda de reemplazo de CS5210PBF MOSFET
CS5210PBF Datasheet (PDF)
cs5210pbf.pdf

CS5210PbfP PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.2
cs5210.pdf

CS5210P PD TC=25 3.8 W 1.3 W/ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -
Otros transistores... CS4N70ARHD , CS4N70FA9D , CS50N06 , CS50N06D , CS50N80 , CS5103 , CS520 , CS5210 , IRF1404 , CS530 , CS540 , CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , CS5630 .
History: IPD031N03L
History: IPD031N03L



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