CS5210PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS5210PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO-257

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CS5210PBF datasheet

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CS5210PBF

CS5210Pbf P PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 A IDM -140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.2

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CS5210PBF

CS5210 P PD TC=25 3.8 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 A IDM -140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -

Otros transistores... CS4N70ARHD, CS4N70FA9D, CS50N06, CS50N06D, CS50N80, CS5103, CS520, CS5210, IRF1404, CS530, CS540, CS540A8, CS540B8, CS540N, CS5410, CS55N10, CS5630