CS5210PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5210PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 40 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-257
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS5210PBF
CS5210PBF Datasheet (PDF)
1.1. cs5210pbf.pdf 
Size:65K _update_mosfet
CS5210Pbf型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 200 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.2
4.1. cs5210.pdf Size:59K _update_mosfet
CS5210型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 3.8 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.25mA -
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