CS5210PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS5210PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS5210PBF

CS5210PBF Datasheet (PDF)

1.1. cs5210pbf.pdf Size:65K _update_mosfet

CS5210Pbf型P沟道场效应晶体管参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 PD TC=25℃ 200 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.2

4.1. cs5210.pdf Size:59K _update_mosfet

CS5210型P沟道场效应晶体管参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 PD TC=25℃ 3.8 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID （VGS=-10V,TC=25℃） -40 A 极限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on） VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω （ VGS th） VDS=VGS,ID=-0.25mA -

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Liste

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