CS5210PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CS5210PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-257
Аналог (замена) для CS5210PBF
CS5210PBF Datasheet (PDF)
cs5210pbf.pdf

CS5210PbfP PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.2
cs5210.pdf

CS5210P PD TC=25 3.8 W 1.3 W/ID VGS=-10V,TC=25 -40 AIDM -140 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -
Другие MOSFET... CS4N70ARHD , CS4N70FA9D , CS50N06 , CS50N06D , CS50N80 , CS5103 , CS520 , CS5210 , IRF1404 , CS530 , CS540 , CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , CS5630 .
History: AM4466N | LSD65R180GT | NCE0208IA | FK330601 | PHP79NQ08LT | 2SK2797 | SIHFBC30A
History: AM4466N | LSD65R180GT | NCE0208IA | FK330601 | PHP79NQ08LT | 2SK2797 | SIHFBC30A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g