CS5210PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5210PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-257

Аналог (замена) для CS5210PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5210PBF даташит

 ..1. Size:65K  china
 cs5210pbf.pdf pdf_icon

CS5210PBF

CS5210Pbf P PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 A IDM -140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.2

 8.1. Size:59K  china
 cs5210.pdf pdf_icon

CS5210PBF

CS5210 P PD TC=25 3.8 W 1.3 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -40 A IDM -140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.06 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -

Другие IGBT... CS4N70ARHD, CS4N70FA9D, CS50N06, CS50N06D, CS50N80, CS5103, CS520, CS5210, IRF1404, CS530, CS540, CS540A8, CS540B8, CS540N, CS5410, CS55N10, CS5630