All MOSFET. CS5210PBF Datasheet

 

CS5210PBF MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: CS5210PBF

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 200 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 40 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.06 Ohm

Package: TO-257

CS5210PBF Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search

CS5210PBF Datasheet (PDF)

1.1. cs5210pbf.pdf Size:65K _update_mosfet

CS5210PBF

CS5210Pbf型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 200 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω ( VGS th) VDS=VGS,ID=-0.2

4.1. cs5210.pdf Size:59K _update_mosfet

CS5210PBF

CS5210型P沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 3.8 W 线性降低系数 1.3 W/℃ ID (VGS=-10V,TC=25℃) -40 A 极 限 IDM -140 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 特 RthJC 0.75 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on) VGS=-10V,ID=-24A 0.06 Ω ( VGS th) VDS=VGS,ID=-0.25mA -

 

Datasheet: PHD18NQ10T , PHD21N06LT , PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , IRF510 , PHD66NQ03LT , PHD77NQ03T , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 .

 
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