CS5M5210 Todos los transistores

 

CS5M5210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS5M5210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257A

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CS5M5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  china
cs5m5210.pdf

CS5M5210

CS5M5210P PD TC=25 125 W 1.0 W/ID VGS=-10V,TC=25 -34 AID VGS=-10V,TC=100 -21 AIDM -136 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.07

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