CS5M5210. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5M5210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-257A

Аналог (замена) для CS5M5210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5M5210 даташит

 ..1. Size:64K  china
 cs5m5210.pdf pdf_icon

CS5M5210

CS5M5210 P PD TC=25 125 W 1.0 W/ ID VGS=-10V,TC=25 -34 A ID VGS=-10V,TC=100 -21 A IDM -136 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.07

Другие IGBT... CS540A8, CS540B8, CS540N, CS5410, CS55N10, CS5630, CS5M3710, CS5M4905, 2N7000, CS5N50, CS5N5210, CS5N60D, CS5N60F, CS5N65A3, CS5N65A4, CS5N65A7H, CS5N65A8H