Справочник MOSFET. CS5M5210

 

CS5M5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS5M5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-257A
 

 Аналог (замена) для CS5M5210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5M5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  china
 cs5m5210.pdf pdf_icon

CS5M5210

CS5M5210P PD TC=25 125 W 1.0 W/ID VGS=-10V,TC=25 -34 AID VGS=-10V,TC=100 -21 AIDM -136 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.0 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 VRDS on VGS=-10V,ID=-24A 0.07

Другие MOSFET... CS540A8 , CS540B8 , CS540N , CS5410 , CS55N10 , CS5630 , CS5M3710 , CS5M4905 , IRF9540 , CS5N50 , CS5N5210 , CS5N60D , CS5N60F , CS5N65A3 , CS5N65A4 , CS5N65A7H , CS5N65A8H .

History: HAT2193WP | FCH25N60N

 

 
Back to Top

 


 
.