CS5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS5N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS5N50

CS5N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:124K china
cs5n50.pdf

CS5N50 N PD TC=25 74 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.0 A ID VGS=10V,TC=100 3.2 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID=3A 1.4

0.1. Size:2112K jilin sino
jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

0.2. Size:1627K jilin sino
jcs5n50.pdf

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS5N50T \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 1.6&! Qg 15 nC APPLICATIONS (u High efficiency switch _sQ5un

0.3. Size:2342K jilin sino
jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

0.4. Size:1923K blue-rocket-elect
brcs5n50yu.pdf

BRCS5N50YU Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN88-4L N Dual N-CHANNEL MOSFET in a DFN88-4L Plastic Package. / Features V (V)=500V I =5A DS DRDS(ON)@10V

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