CS5N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS5N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-254
CS5N50 Datasheet (PDF)
cs5n50.pdf
CS5N50 N PD TC=25 74 W 0.59 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.0 A ID VGS=10V,TC=100 3.2 A IDM 20 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.7 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID=3A 1.4
jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge
jcs5n50.pdf
N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS5N50T \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 1.6&! Qg 15 nC APPLICATIONS (u High efficiency switch _sQ5un
jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES
brcs5n50yu.pdf
BRCS5N50YU Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN88-4L N Dual N-CHANNEL MOSFET in a DFN88-4L Plastic Package. / Features V (V)=500V I =5A DS DRDS(ON)@10V
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918