CS64N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS64N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00745 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de CS64N90 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS64N90 datasheet

 ..1. Size:896K  thinkisemi
 cs64n90f cs64n90 cs64n90b.pdf pdf_icon

CS64N90

CS64N90 Pb CS64N90 Pb Free Plating Product 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFET General Description CS64N90 (TO-220 HeatSink) CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G Fea

 9.1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CS64N90

CS64N12 CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

Otros transistores... CS630F, CS630FA9H, CS634F, CS640, CS640A0H, CS640A8H, CS640F, CS640FA9H, 2SK3568, CS64N90B, CS64N90F, CS65N20-30, CS6660, CS6661, CS6766, CS6768, CS6769