CS64N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

CS64N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS64N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00745 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CS64N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS64N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  thinkisemi
 cs64n90f cs64n90 cs64n90b.pdf pdf_icon

CS64N90

CS64N90 PbCS64N90Pb Free Plating Product85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETGeneral Description CS64N90(TO-220 HeatSink)CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS GFea

 9.1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CS64N90

CS64N12\ CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

Другие MOSFET... CS630F , CS630FA9H , CS634F , CS640 , CS640A0H , CS640A8H , CS640F , CS640FA9H , 5N65 , CS64N90B , CS64N90F , CS65N20-30 , CS6660 , CS6661 , CS6766 , CS6768 , CS6769 .

History: SJMN1K6R70D | BLP02N06-D | 2SK615 | VSA007N02KD | 2SK2272-01R | 2SK630 | KMB8D0P30Q

 

 
Back to Top

 


 
.