CS64N90B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS64N90B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 139 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 92 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 106 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 442 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.00745 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS64N90B
CS64N90B Datasheet (PDF)
cs64n90f cs64n90 cs64n90b.pdf
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CS64N90 PbCS64N90Pb Free Plating Product85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETGeneral Description CS64N90(TO-220 HeatSink)CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS GFea
cs64n12 csn64n12.pdf
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CS64N12\ CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)
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