CS64N90B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS64N90B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00745 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CS64N90B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS64N90B даташит

 ..1. Size:896K  thinkisemi
 cs64n90f cs64n90 cs64n90b.pdf pdf_icon

CS64N90B

CS64N90 Pb CS64N90 Pb Free Plating Product 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFET General Description CS64N90 (TO-220 HeatSink) CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G Fea

 9.1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CS64N90B

CS64N12 CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

Другие IGBT... CS630FA9H, CS634F, CS640, CS640A0H, CS640A8H, CS640F, CS640FA9H, CS64N90, 10N65, CS64N90F, CS65N20-30, CS6660, CS6661, CS6766, CS6768, CS6769, CS6790