Справочник MOSFET. CS64N90B

 

CS64N90B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS64N90B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00745 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CS64N90B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS64N90B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  thinkisemi
 cs64n90f cs64n90 cs64n90b.pdf pdf_icon

CS64N90B

CS64N90 PbCS64N90Pb Free Plating Product85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETGeneral Description CS64N90(TO-220 HeatSink)CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS GFea

 9.1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CS64N90B

CS64N12\ CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

Другие MOSFET... CS630FA9H , CS634F , CS640 , CS640A0H , CS640A8H , CS640F , CS640FA9H , CS64N90 , STP80NF70 , CS64N90F , CS65N20-30 , CS6660 , CS6661 , CS6766 , CS6768 , CS6769 , CS6790 .

History: MPSH65M170 | 2SK3399B | SI2323DDS | AP04N70BI-A | BL8N50-I | ZXMN3B14F

 

 
Back to Top

 


 
.