CS65N20-30 Todos los transistores

 

CS65N20-30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS65N20-30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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CS65N20-30 Datasheet (PDF)

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CS65N20-30

CS65N20-30 N PD TC=25 375 W ID VGS=10V,TC=25 65 A IDM 140 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.4 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25 mA 200 V RDS on VGS=10V,ID=30A 0.05 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs

Otros transistores... CS640 , CS640A0H , CS640A8H , CS640F , CS640FA9H , CS64N90 , CS64N90B , CS64N90F , RFP50N06 , CS6660 , CS6661 , CS6766 , CS6768 , CS6769 , CS6790 , CS6796 , CS6798 .

History: INJ0002AM1 | INJ0002AC1 | FDPF7N50 | IPA50R950CE | IPP60R099C6 | INJ0003AC1 | HFP11N40

 

 
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